MCU ROM EXTRACTION

MCU ROM 解密

面向客户有权处理的 MCU 样片与固件,提供 EEPROM、Flash 和 Mask ROM 的保护机制分析、物理码点提取、外围译码分析与固件重构服务,并积累了多类日系 MCU 项目经验。

存储类型
EEPROM / Flash / Mask ROM
核心证据
码点阵列与译码电路
数据交付
BIN / HEX
01

MEMORY TYPES

ROM 类型与处理路径

MCU 将处理器、存储器和外设集成在单颗芯片中。不同 ROM 的数据保存方式与保护机制不同,因此样片处理、读取方式和验证方法也需要分别确定。

电学存储

EEPROM / Flash ROM

数据由浮栅或其他存储单元的电学状态决定,常见保护方式包括加密标志位和读出限制。处理前需要先分析保护机制,再确定电学读取、物理修改或其他可行路径。

主要工作:保护机制分析 / 数据读取

掩膜固化

Mask ROM

数据在晶圆制造阶段写入物理结构,通常无法通过常规编程接口直接导出。需要通过开盖、去层、显微成像、码点判读和外围译码分析重建数据。

主要工作:物理码点 / 地址映射

02

PHYSICAL CODE MECHANISMS

Mask ROM 物理分类

Mask ROM 的数据差异可能落在器件、互连或阈值层面。分类判断决定目标去层位置、成像方式,以及是否需要化学显影。

  1. 01器件有无DEVICE PRESENCE明码通过目标位置是否存在特定半导体器件,例如 NMOS 管,定义数据 0 与 1。器件差异可在适当层次的显微图像中直接识别。
  2. 02物理连接DIFF / METAL / VIA明码器件本身保持一致,通过有源区、金属层或通孔的连通与否定义数据。需要结合对应层图像判读连接关系。
  3. 03阈值与掺杂THRESHOLD / DOPING暗码器件外观和连线近似一致,通过局部注入或掺杂改变开启电压。通常需要去至目标层并进行化学显影,才能呈现可判读差异。
03

CODE ARRAY IMAGING

码点图像

Mask ROM 码点图像
Mask ROM 码点图像
04

SEVEN-STEP DATA RECONSTRUCTION

Mask ROM 数据重构流程

从样片信息确认到固件重构,七个步骤需要保留物理图像、码点数据和译码结论之间的对应关系,便于在每个阶段进行复核。

  1. 01资料调研查阅数据手册(Datasheet)与公开资料,确认 MCU 架构、数据总线宽度、ROM 容量和封装信息。
  2. 02样片开盖去除局部封装并暴露 Die,记录裸片尺寸、工艺特征和 ROM 阵列所在区域。
  3. 03精密去层逐层去除目标制程层,对 ROM 阵列和外围驱动、译码电路进行显微拍摄。
  4. 04码点显影针对阈值或掺杂型暗码,在目标层进行化学显影,使原本不可见的码点差异可被成像。
  5. 05码点提取完成高倍率图像拼接、阵列对齐与码点判读,形成可校验的平面点阵数据。
  6. 06电路分析分析外围译码器、地址总线和读出电路,推导物理阵列与逻辑数据之间的排列关系。
  7. 07固件重构按译码逻辑完成地址映射、位序重排和一致性检查,生成约定格式的 BIN / HEX 数据。
05

SELECTED MCU REFERENCES

历史项目型号

以下型号集中体现 NEC 与 Hitachi 日系 MCU 系列的处理经验。具体项目仍需结合封装、掩膜版本与样片状态重新评估。

历史项目型号
厂商系列典型型号
NECuPD78K / K0 / K0SuPD780103
NECuPD75XLuPD754202
NECuPD17KuPD17107
NECV850uPD703003
HitachiH8/300HD6433308
HitachiH8/300LHD6433644
HitachiH8/300HHD6433687
HitachiH8S/2000HD6432357

型号相近不代表掩膜版本与保护方式相同。评估时需要提供完整丝印、封装照片、样片数量和预期交付格式。

评估 MCU 型号与样片条件

提交芯片完整丝印、封装、数据手册、样片数量和目标数据格式,由技术团队确认存储类型与可行路径。

提交项目资料