IC COMPETITIVE ANALYSIS
芯片竞争力分析
芯片产品更新频繁。系统了解已有产品的工艺特点、物理结构与电路设计,有助于加强技术储备、缩短设计周期,并为后续研发和知识产权判断提供依据。
- 物理结构
- 工艺分析报告
- 电路还原
- 网表与电路图
- 知识产权
- 专利分析报告
01
ANALYSIS WORKFLOW
分析路径
从样片外观与内部结构检查开始,逐步完成裸片提取、截面观察、去层拍摄和电路重建,使物理证据、工艺判断与电路成果保持对应。
- 01外观目检与 X-ray 内检记录封装、引线与内部连接状态
- 02取裸片(Die)与 OM 顶层拍摄获取裸片尺寸和顶层版图信息
- 03切片与截面观察确认材料层次和制造工艺结构
- 04去层至衬底(SUB)评估芯片规模、器件类型与布局
- 05阶段评估报告整理封装、工艺与样片处理结论
- 06逐步去层依次获得金属层、介质层和器件层
- 07OM / SEM 拍摄拼接形成对准后的各层完整显微图像
- 08电路分析与网表提取重建拓扑并形成可交付电路资料
02
PROCESS ANALYSIS
工艺分析
对芯片进行反向处理,获得芯片加工生产方面的相关信息并提供工艺分析报告。报告覆盖封装、裸片、版图、工艺层和半导体器件结构等关键内容。
- 封装与材料
- 封装类型、封装材料和结构特点,以及键合线(Bonding Wire)的材料与连接特征。
- 裸片与版图
- 裸片(Die)精确尺寸、布局规划(Floorplan)、金属层数和芯片特征尺寸。
- 微观结构
- 各层特色区域显微图、半导体器件结构以及芯片纵向切片图。
03
CIRCUIT EXTRACTION
电路提取
对显微图像进行半导体元器件识别,提取元器件参数和金属连线信息,最终得到芯片的完整电路图。通过反向流程控制和纠错方法,提高电路提取结果的一致性与准确性。
- 01图像对准对各层显微图像进行拼接和层间对准。
- 02器件识别识别电阻、电容、二极管、MOS 管等器件。
- 03参数与连线提取提取器件参数及金属互连关系。
- 04网表重建通过流程控制与纠错完成电路拓扑还原。
04
CIRCUIT ANALYSIS
电路分析
依据芯片数据手册(Datasheet)和应用电路图确认端口定义,对芯片进行模块划分、电路检查与整理,并开展层次化分析。按项目需要提供以下格式的电路资料。
SPICE
EDIF
Verilog
VHDL
Cadence CDB / OA

05
PATENT ANALYSIS
专利分析
在电路提取和分析结果的基础上,结合专利检索、文献分析与技术特征对照,梳理可能相关的电路实现,并形成供进一步研判的专利技术分析报告。
竞品专利技术参考
梳理竞品电路实现与公开专利的技术特征,为后续方案设计和风险研判提供参考。
自有专利技术对照
对照第三方芯片与客户专利中的相关技术特征,整理可供专业人员进一步判断的技术资料。
技术分析结果用于支持项目研判,不替代专利代理人或法律顾问的专业意见。
- 专利检索
- 文献分析
- 技术特征对照
- 分析报告
评估分析范围与交付形式
提交芯片型号、数据手册、样片数量和目标问题,由技术团队确认工艺分析、电路提取与专利分析边界。