IC COMPETITIVE ANALYSIS

芯片竞争力分析

芯片产品更新频繁。系统了解已有产品的工艺特点、物理结构与电路设计,有助于加强技术储备、缩短设计周期,并为后续研发和知识产权判断提供依据。

物理结构
工艺分析报告
电路还原
网表与电路图
知识产权
专利分析报告
01

ANALYSIS WORKFLOW

分析路径

从样片外观与内部结构检查开始,逐步完成裸片提取、截面观察、去层拍摄和电路重建,使物理证据、工艺判断与电路成果保持对应。

  1. 01外观目检与 X-ray 内检记录封装、引线与内部连接状态
  2. 02取裸片(Die)与 OM 顶层拍摄获取裸片尺寸和顶层版图信息
  3. 03切片与截面观察确认材料层次和制造工艺结构
  4. 04去层至衬底(SUB)评估芯片规模、器件类型与布局
  5. 05阶段评估报告整理封装、工艺与样片处理结论
  6. 06逐步去层依次获得金属层、介质层和器件层
  7. 07OM / SEM 拍摄拼接形成对准后的各层完整显微图像
  8. 08电路分析与网表提取重建拓扑并形成可交付电路资料
02

PROCESS ANALYSIS

工艺分析

对芯片进行反向处理,获得芯片加工生产方面的相关信息并提供工艺分析报告。报告覆盖封装、裸片、版图、工艺层和半导体器件结构等关键内容。

封装与材料
封装类型、封装材料和结构特点,以及键合线(Bonding Wire)的材料与连接特征。
裸片与版图
裸片(Die)精确尺寸、布局规划(Floorplan)、金属层数和芯片特征尺寸。
微观结构
各层特色区域显微图、半导体器件结构以及芯片纵向切片图。
03

CIRCUIT EXTRACTION

电路提取

对显微图像进行半导体元器件识别,提取元器件参数和金属连线信息,最终得到芯片的完整电路图。通过反向流程控制和纠错方法,提高电路提取结果的一致性与准确性。

  1. 01图像对准对各层显微图像进行拼接和层间对准。
  2. 02器件识别识别电阻、电容、二极管、MOS 管等器件。
  3. 03参数与连线提取提取器件参数及金属互连关系。
  4. 04网表重建通过流程控制与纠错完成电路拓扑还原。
04

CIRCUIT ANALYSIS

电路分析

依据芯片数据手册(Datasheet)和应用电路图确认端口定义,对芯片进行模块划分、电路检查与整理,并开展层次化分析。按项目需要提供以下格式的电路资料。

SPICE
EDIF
Verilog
VHDL
Cadence CDB / OA
从物理层图像到电路图:展示芯片分层图像、器件识别结果与层次化电路图之间的转换关系。
从物理层图像到电路图展示芯片分层图像、器件识别结果与层次化电路图之间的转换关系。
05

PATENT ANALYSIS

专利分析

在电路提取和分析结果的基础上,结合专利检索、文献分析与技术特征对照,梳理可能相关的电路实现,并形成供进一步研判的专利技术分析报告。

竞品专利技术参考

梳理竞品电路实现与公开专利的技术特征,为后续方案设计和风险研判提供参考。

自有专利技术对照

对照第三方芯片与客户专利中的相关技术特征,整理可供专业人员进一步判断的技术资料。

技术分析结果用于支持项目研判,不替代专利代理人或法律顾问的专业意见。

  1. 专利检索
  2. 文献分析
  3. 技术特征对照
  4. 分析报告

评估分析范围与交付形式

提交芯片型号、数据手册、样片数量和目标问题,由技术团队确认工艺分析、电路提取与专利分析边界。

联系技术团队